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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wè三大球和三小球分别是什么 三大球的起源i)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、三大球和三小球分别是什么 三大球的起源 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公三大球和三小球分别是什么 三大球的起源司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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